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利用钯解决埋层氧化物薄膜晶体管的接触问题

东京工业大学的科学家们开发了一种新方法，利用钯将氢注入非晶氧化物半导体(AOS)存储器件的深埋氧化物金属电极触点中，从而降低接触电阻。
2024年04月30日 14:50:13

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